エピタキシャル成長とは

えぴたきしゃるせいちょう

単結晶基板の上に、基板の結晶方位をそろえて単結晶の薄膜を成長させる技術。

この用語の分野: エピタキシャル成長

解説の中の「エピタキシャル成長」

「エピタキシャル成長」が出てくる問題(34問)

  1. FinFETのソース・ドレインで、フィンの上にエピタキシャル成長で結晶を盛り上げる主な目的はどれか。
  2. エピタキシャル成長の説明として正しいものはどれか。
  3. ヘテロエピタキシャル成長の例として正しいものはどれか。
  4. シリコンのエピタキシャル成長で原料として使われるガスはどれか。
  5. エピタキシャル成長中に、基板などの不純物が気相を通じて成長層に取り込まれてしまう現象を何と呼ぶか。
  6. ヘテロエピタキシャル成長における臨界膜厚の説明として正しいものはどれか。
  7. シリコンのエピタキシャル成長の直前に、高温の水素雰囲気でウエハを加熱する主な目的はどれか。
  8. CVDによるエピタキシャル成長で、比較的低い温度の領域では成長速度が温度に強く依存する。その理由として正しいものはどれか。
  9. トリクロロシランを使ったシリコンのエピタキシャル成長の一般的な成長温度に最も近いものはどれか。
  10. 格子定数の大きい緩和したSiGe層の上に、薄いシリコン層をエピタキシャル成長させたとき、シリコン層に生じるひずみはどれか。
  11. SiCのエピタキシャル成長で、結晶軸から数度傾けた(オフ角をつけた)基板を使う主な理由はどれか。
  12. シリコンのエピタキシャル成長を減圧で行う利点の一つとして正しいものはどれか。
  13. エピタキシャル成長中にドーピングガスを流し、成長と同時に不純物を添加することを何と呼ぶか。
  14. エピタキシャル成長中に不純物を添加する方法が、熱拡散と比べて有利な点として正しいものはどれか。
  15. 先端CMOSの工程で、シリコンやSiGeのエピタキシャル成長の温度を下げることが求められる理由として正しいものはどれか。

関連する用語

SiGe(シリコンゲルマニウム) SiC(炭化ケイ素) シラン(SiH4) 移動度 GaN(窒化ガリウム) アニール CMOS ホスフィン(PH3) オートドーピング ミスフィット転位

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