SiC(炭化ケイ素)とは

たんかけいそ

バンドギャップ約3.3 eVのワイドギャップ半導体。絶縁破壊電界が高く、高耐圧・低損失のパワーデバイスに使われる。

この用語の分野: パワー半導体

解説の中の「SiC(炭化ケイ素)」

「SiC(炭化ケイ素)」が出てくる問題(47問)

  1. SiC(炭化ケイ素)がSiに比べて高耐圧パワーデバイスに有利な主な理由はどれか。
  2. SiCやGaNのように、シリコンよりバンドギャップが大きい半導体の総称はどれか。
  3. SiCショットキーバリアダイオードが、インバータなどの還流ダイオードとして使われる主な利点はどれか。
  4. SiCやGaNのパワーデバイスで高速にスイッチングするときに、特に対策が重要になる問題はどれか。
  5. 電気自動車のインバータにSiCパワーデバイスを使う主な利点はどれか。
  6. SiC MOSFETの課題の一つとして知られているものはどれか。
  7. 高温で動作するSiCパワーモジュールで、チップの接合材として、はんだに代わって使われることがある材料はどれか。
  8. SiC MOSFETのボディダイオードに電流を流し続けると、特性が劣化することがある原因として知られているものはどれか。
  9. SiC MOSFETやIGBTの駆動で、オフ時にゲートに負の電圧(例えば −3〜−5 V)を加えることがある主な理由はどれか。
  10. GaN HEMTの基板としてSiCが使われる主な理由の一つはどれか。
  11. SiCウエハの製造が難しく、高価である理由の一つとして正しいものはどれか。
  12. SiCパワーデバイスの製造でエピタキシャル層が重要な理由として正しいものはどれか。
  13. SiCのエピタキシャル成長で、結晶軸から数度傾けた(オフ角をつけた)基板を使う主な理由はどれか。
  14. SiCパワーデバイスに主に使われている結晶多形(ポリタイプ)はどれか。
  15. SiCのエピタキシャル成長(CVD)の一般的な成長温度に最も近いものはどれか。

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