レトログレードウェルとは
れとろぐれーどうぇる
高エネルギーのイオン注入で、表面より深い位置の不純物濃度を高くしたウェル。表面のチャネルの濃度を低く保ちながら、パンチスルーやラッチアップを抑えられる。
この用語の分野: イオン注入
れとろぐれーどうぇる
高エネルギーのイオン注入で、表面より深い位置の不純物濃度を高くしたウェル。表面のチャネルの濃度を低く保ちながら、パンチスルーやラッチアップを抑えられる。
この用語の分野: イオン注入
レトログレードウェルは、数百keV〜MeV級の高エネルギー注入で深い位置に濃度のピークをもたせたウェルです。
CMOSのウェル形成で、高エネルギーのイオン注入を使って、表面より深い位置の不純物濃度を高くしたウェルを何と呼ぶか。CMOSイメージセンサの深いフォトダイオードや画素間の分離、パワーデバイスの深い層(スーパージャンクションの柱など)、レトログレードウェルの形成などに使われます。
数MeVに及ぶ高エネルギーのイオン注入が使われる用途の例として正しいものはどれか。CMOS イオン注入 パンチスルー ラッチアップ 熱拡散 フォトダイオード アニール 過渡増速拡散(TED) 固溶度 シャドウイング