アクセプタとは

あくせぷた

半導体から電子を受け取り、正孔を生じさせる不純物。シリコンに対してはホウ素(B)などのIII族元素で、p型半導体をつくる。

この用語の分野: 半導体物性

解説の中の「アクセプタ」

「アクセプタ」が出てくる問題(14問)

  1. ドナー濃度5×10¹⁶ cm⁻³とアクセプタ濃度2×10¹⁶ cm⁻³の両方を含むシリコン(室温、すべてイオン化)の性質として正しいものはどれか。
  2. シリコンにリン(P)を不純物として添加したときの説明として正しいものはどれか。
  3. シリコン中のリンがつくるドナー準位の、バンドギャップ内での位置として正しいものはどれか。
  4. シリコン原子1個がもつ価電子(最外殻電子)の数はいくつか。
  5. シリコンにホウ素(B)を不純物として添加したときの説明として正しいものはどれか。
  6. p型半導体の多数キャリアはどれか。
  7. nMOSFETのチャネル領域(p型基板)の不純物濃度を高くすると、しきい値電圧はどうなるか。
  8. GaNでp型層をつくるために使われる代表的な不純物はどれか。
  9. GaAsにシリコンを添加してn型にするとき、シリコンが主に置き換わる位置はどれか。
  10. MOCVD法でマグネシウムを添加したGaNが、成長直後には高抵抗でp型にならない主な理由と、その対策の組み合わせとして正しいものはどれか。
  11. イオン注入後にアニール(熱処理)を行う主な目的として正しいものはどれか。
  12. シリコンに注入する不純物と導電型の組み合わせとして正しいものはどれか。
  13. すでにp型の領域にn型の不純物を注入して、正味の不純物濃度を下げたり導電型を反転させたりする手法を何と呼ぶか。
  14. nMOSのチャネルに急峻なレトログレード分布をつくるために、ボロンより重いp型不純物として検討・使用されてきた元素はどれか。

関連する用語

ドナー 移動度 イオン注入 空乏層 しきい値電圧 GaN(窒化ガリウム) アニール バンドギャップ 内蔵電位 FinFET

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