イオン注入後にアニール(熱処理)を行う主な目的として正しいものはどれか。

正解：B. 結晶欠陥を回復させ、不純物を格子位置に置いて電気的に活性化させるため

注入されたイオンはシリコンの結晶を乱し、多くはドナーやアクセプタとして働かない位置にとどまります。アニールによって結晶の損傷を回復させ、不純物を結晶格子の位置に置き換えて活性化させます。不純物が拡散しすぎないよう、短時間で加熱する方法(RTAなど)が使われます。