ヘテロエピタキシャル成長の例として正しいものはどれか。

正解：B. シリコン基板上へのSiGeの成長

基板と同じ材料を成長させることをホモエピタキシー、異なる材料を成長させることをヘテロエピタキシーといいます。シリコン上のSiGeや、サファイアやSiC上のGaNなどがヘテロエピタキシーの例です。熱酸化でできるSiO2はアモルファスで、エピタキシャル成長ではありません。