SiGe(シリコンゲルマニウム)とは

しりこんげるまにうむ

シリコンとゲルマニウムの混晶。シリコンより格子定数が大きく、エピタキシャル成長でチャネルにひずみを加えたり、HBTのベースやGAAの犠牲層に使ったりする。

この用語の分野: エピタキシャル成長

解説の中の「SiGe(シリコンゲルマニウム)」

「SiGe(シリコンゲルマニウム)」が出てくる問題(25問)

  1. SiGe HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)の特徴として正しいものはどれか。
  2. シリコンゲルマニウム(SiGe)の分類として正しいものはどれか。
  3. ナノシート型GAAトランジスタの製造で、SiとSiGeを交互に積み重ねた層からSiGe層だけを選択的に除去する理由として正しいものはどれか。
  4. pMOSのチャネル材料として、シリコンの代わりにSiGeやゲルマニウムが検討・採用されている理由はどれか。
  5. 格子定数の大きい緩和したSiGe層の上に、薄いシリコン層をエピタキシャル成長させたとき、シリコン層に生じるひずみはどれか。
  6. SiGe HBTのベース層を形成するのに使われる技術として正しいものはどれか。
  7. 先端CMOSの工程で、シリコンやSiGeのエピタキシャル成長の温度を下げることが求められる理由として正しいものはどれか。
  8. SiGeのエピタキシャル成長で、ゲルマニウムの原料として使われるガスはどれか。
  9. シリコンにおける電子と正孔の移動度の比較として正しいものはどれか。
  10. 室温におけるゲルマニウム(Ge)のバンドギャップに最も近い値はどれか。
  11. シリコン結晶の格子定数に最も近い値はどれか。
  12. バイポーラトランジスタのトランジション周波数fTの意味として正しいものはどれか。
  13. バイポーラトランジスタとCMOSを同じチップに集積する技術とその狙いの組み合わせとして正しいものはどれか。
  14. 同じ寸法のnMOSとpMOSでは、一般にnMOSの方が駆動電流が大きい。その主な理由はどれか。
  15. トランジスタのチャネルにひずみ(応力)を加える技術の主な目的はどれか。

関連する用語

エピタキシャル成長 移動度 CMOS HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) ナノシート バンドギャップ GAA(ゲートオールアラウンド) 有効質量 FinFET ミスフィット転位

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