先端トランジスタ(FinFET・GAA)
FinFETのソース・ドレインで、フィンの上にエピタキシャル成長で結晶を盛り上げる主な目的はどれか。
- Aトランジスタを発光させるため
- Bゲート長を長くするため
- C寄生抵抗を下げ、チャネルにひずみを加えるため
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正解：C. 寄生抵抗を下げ、チャネルにひずみを加えるため
フィンは細いため、そのままではソース・ドレインの抵抗やコンタクトの面積が問題になります。エピタキシャル成長で結晶を盛り上げると、抵抗を下げ、コンタクトをとりやすくできます。pMOSではSiGe、nMOSではSiPなどを使い、チャネルにひずみを加える役割も果たします。