ステップフロー成長とは
すてっぷふろーせいちょう
結晶軸からわずかに傾けた基板の表面にある原子ステップから、横方向に結晶が広がる成長様式。SiCでは基板と同じ結晶多形を引き継ぐために使われる。
この用語の分野: エピタキシャル成長
すてっぷふろーせいちょう
結晶軸からわずかに傾けた基板の表面にある原子ステップから、横方向に結晶が広がる成長様式。SiCでは基板と同じ結晶多形を引き継ぐために使われる。
この用語の分野: エピタキシャル成長
4°程度のオフ角をつけた基板では表面に原子ステップが多数あり、原料はステップに取り込まれて横方向に成長が進むため(ステップフロー成長)、基板と同じ4H-SiCの積み重なり方を引き継いだ結晶が得られます。
SiCのエピタキシャル成長で、結晶軸から数度傾けた(オフ角をつけた)基板を使う主な理由はどれか。SiC(炭化ケイ素) エピタキシャル成長 4H-SiC HVPE(ハイドライド気相成長) MOCVD(有機金属気相成長) MBE(分子線エピタキシー) オートドーピング 貫通転位 格子不整合 SiGe(シリコンゲルマニウム)