エピタキシャル成長
シリコンのエピタキシャル成長の直前に、高温の水素雰囲気でウエハを加熱する主な目的はどれか。
- A表面を厚く酸化させる
- B不純物を高濃度に添加する
- C表面の自然酸化膜を除去し、清浄な結晶面を露出させる
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正解：C. 表面の自然酸化膜を除去し、清浄な結晶面を露出させる
表面に自然酸化膜や汚染が残っていると、その上には単結晶がうまく成長せず、欠陥の原因になります。成長の前に水素中で高温に加熱(水素ベーク)して自然酸化膜を取り除き、清浄なシリコンの結晶面を露出させてから成長を始めます。