エピタキシャル成長

SiCのエピタキシャル成長(CVD)の一般的な成長温度に最も近いものはどれか。

  1. A約600℃
  2. B約1,000℃
  3. C約1,500〜1,650℃
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正解：C. 約1,500〜1,650℃

SiCは結合が強く原子が動きにくいため、良質なエピタキシャル層を得るにはシリコンより高い1,500〜1,650℃程度の温度が必要です。原料にはシラン系のガスとプロパンなどの炭化水素が使われ、高温に耐える反応炉の部材が必要になります。

  • A. 約600℃ではSiCの良質な単結晶は成長しません。
  • B. 約1,000℃はシリコンのエピ成長に近い温度です。
  • C. 正しい。1,500〜1,650℃程度の高温で成長させます。
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