オートドーピングとは
おーとどーぴんぐ
エピタキシャル成長中に、基板などの不純物が気相を通じて成長層に取り込まれてしまう現象。高濃度の基板の上に低濃度の層を成長させるときに問題になる。
この用語の分野: エピタキシャル成長
おーとどーぴんぐ
エピタキシャル成長中に、基板などの不純物が気相を通じて成長層に取り込まれてしまう現象。高濃度の基板の上に低濃度の層を成長させるときに問題になる。
この用語の分野: エピタキシャル成長
偏析や蒸発の性質から、ヒ素やアンチモン、リンが使い分けられ、エピ層へのにじみ出し(オートドーピング)の抑制が課題です。
ヒ素やアンチモンを高濃度に添加した低抵抗のn⁺シリコンウエハの主な用途として正しいものはどれか。オートドーピングは、高濃度に不純物を含む基板やその裏面・側面から不純物が蒸発し、ガスを通じて成長中の層に取り込まれる現象です。
エピタキシャル成長中に、基板などの不純物が気相を通じて成長層に取り込まれてしまう現象を何と呼ぶか。減圧(数kPa〜数十kPa)でエピタキシャル成長を行うと、ガスの拡散が速くなり、基板から蒸発した不純物が成長面の近くの境界層に滞留しにくくなるため、オートドーピングを抑えられます。
シリコンのエピタキシャル成長を減圧で行う利点の一つとして正しいものはどれか。エピタキシャル成長 パワーMOSFET オン抵抗 HVPE(ハイドライド気相成長) MOCVD(有機金属気相成長) MBE(分子線エピタキシー) 貫通転位 格子不整合 SiGe(シリコンゲルマニウム) ステップフロー成長