FinFETとは

解説の中の「FinFET」

• FinFETは、シリコンを幅数nm〜十数nm、高さ数十nmのひれ(フィン)のように立て、その両側面と上面をゲートで囲む立体構造のトランジスタです。

  FinFETの構造上の特徴として正しいものはどれか。

• FinFETではフィンの高さや幅はプロセスで決まって一定なので、チャネル幅はフィンの本数で調整し、「フィン何本分」というとびとびの値になります(幅の量子化)。

  FinFETでトランジスタの実効的なチャネル幅を調整する方法として正しいものはどれか。

• FinFETではチャネル幅をフィンの本数でしか調整できませんが、ナノシート型GAAでは、積み重ねたシートの幅(例えば15〜50 nm)をレイアウトで連続的に変えられます。

  FinFETと比べたときの、ナノシート型GAAトランジスタの設計上の利点として正しいものはどれか。

「FinFET」が出てくる問題(29問)

1. FinFETの構造上の特徴として正しいものはどれか。
2. FinFETでトランジスタの実効的なチャネル幅を調整する方法として正しいものはどれか。
3. FinFETと比べたときの、ナノシート型GAAトランジスタの設計上の利点として正しいものはどれか。
4. FinFETの細いフィンをつくるのに使われる、側壁スペーサーを利用してリソグラフィの限界より細かいパターンをつくる技術はどれか。
5. FinFETやSOIトランジスタで問題になりやすい自己発熱の原因として正しいものはどれか。
6. FinFETのソース・ドレインで、フィンの上にエピタキシャル成長で結晶を盛り上げる主な目的はどれか。
7. FinFET(IntelはTri-Gateと呼んだ)を初めて量産のロジック製品に採用した企業と世代の組み合わせとして正しいものはどれか。
8. フィンの高さ50 nm、幅6 nmのFinFETで、フィン1本あたりの実効的なチャネル幅(ゲートが囲む周の長さ)に最も近いものはどれか。
9. FinFETで短チャネル効果を十分に抑えるために、フィンの幅について一般に求められることはどれか。
10. 平面型トランジスタからFinFETに移行したことで、サブスレッショルド係数(SS)は一般にどう変わったか。
11. バルク基板上につくるFinFETで、フィンの根元(ゲートで制御しにくい部分)に高濃度の不純物層を設ける目的はどれか。
12. (100)面のウエハ上に一般的な向きでつくったFinFETでは、チャネルとなるフィンの側面は主に(110)面になる。このことによる移動度への影響として正しいものはどれか。
13. シリコンの不純物濃度を高くすると、キャリアの移動度は一般にどうなるか。
14. 同じ寸法のnMOSとpMOSでは、一般にnMOSの方が駆動電流が大きい。その主な理由はどれか。
15. MOSFETのドレイン電流を大きくするための寸法の変え方として正しいものはどれか。

関連する用語

GAA(ゲートオールアラウンド) 移動度 ナノシート 短チャネル効果 SiGe(シリコンゲルマニウム) 空乏層 ラジカル ALD CMOS しきい値電圧