CVDによるエピタキシャル成長で、比較的低い温度の領域では成長速度が温度に強く依存する。その理由として正しいものはどれか。

正解：B. 表面での化学反応の速さが成長速度を決めている(表面反応律速)ため

低温では表面での反応が遅く、反応の速さが成長速度を決めます(表面反応律速)。反応速度は温度に指数関数的に依存するため、成長速度も温度に強く依存します。高温では反応が十分速くなり、原料ガスの供給の速さが成長速度を決める供給律速になります。