ヘテロエピタキシャル成長における臨界膜厚の説明として正しいものはどれか。

正解：C. 転位を発生させずに、ひずみを保ったまま成長できる最大の膜厚

格子定数の異なる膜は、薄いうちは基板に合わせてひずんだまま成長します(コヒーレント成長)。しかし膜厚が臨界膜厚を超えると、ひずみエネルギーを解放するためにミスフィット転位が発生します。ひずみSiGe層などを設計するときに重要な値です。