先端CMOSの工程で、シリコンやSiGeのエピタキシャル成長の温度を下げることが求められる理由として正しいものはどれか。

正解：C. すでに形成した構造の不純物の拡散や変形を抑えるため(熱予算の制約)

トランジスタの微細な構造や急峻な不純物の分布は、高温にさらされると崩れてしまいます。そのため、工程の後半で行うエピタキシャル成長などは、できるだけ低い温度で行う必要があります。工程全体で許される熱の量を熱予算(サーマルバジェット)といいます。