SiCのエピタキシャル成長で、結晶軸から数度傾けた(オフ角をつけた)基板を使う主な理由はどれか。

正解：A. 表面の原子ステップから横方向に成長させ(ステップフロー成長)、基板と同じ結晶多形を引き継ぐため

SiCには原子の積み重なり方が異なる多くの結晶多形(ポリタイプ)があります。オフ角をつけた基板では表面に原子ステップが多数あり、そこから横方向に成長が進むため、基板と同じ積み重なり方(4H-SiCなど)を引き継いだ結晶が得られます。