エピタキシャル成長 格子定数の大きい緩和したSiGe層の上に、薄いシリコン層をエピタキシャル成長させたとき、シリコン層に生じるひずみはどれか。 A圧縮ひずみ Bひずみは生じない C引っ張りひずみ 答えと解説を見る 正解：C. 引っ張りひずみ シリコンの格子定数はSiGeより小さいため、SiGeの上に成長させると、シリコンの原子の間隔がSiGeに合わせて引き伸ばされ、引っ張りひずみが生じます。引っ張りひずみをもつシリコンでは電子の移動度が高くなるため、nMOSの性能向上に使われてきました。