エピタキシャル成長
エピタキシャル成長の説明として正しいものはどれか。
- A単結晶基板の上に、基板の結晶方位をそろえて単結晶の薄膜を成長させること
- B基板の上にアモルファスの膜を堆積させること
- C基板を高温で溶かして再結晶させること
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正解:A. 単結晶基板の上に、基板の結晶方位をそろえて単結晶の薄膜を成長させること
エピタキシャル成長では、基板の結晶の並びを引き継ぐように原子が積み重なり、基板と同じ方位をもつ単結晶膜ができます。基板とは異なる不純物濃度の層を精密につくれるため、パワーデバイスの高抵抗層やCMOSイメージセンサ用の基板などに使われます。