エピタキシャル成長 シリコンのエピタキシャル成長を減圧で行う利点の一つとして正しいものはどれか。 Aオートドーピングを抑えやすい B成長速度が必ず速くなる C成長温度を2000 ℃以上にできる 答えと解説を見る 正解：A. オートドーピングを抑えやすい 減圧でエピタキシャル成長を行うと、ガスの拡散が速くなり、基板から蒸発した不純物が成長面の近くに滞留しにくくなるため、オートドーピングを抑えられます。膜厚の均一性もよくなる傾向があります。