SRAM與快閃記憶體
以三選一題型確認6電晶體SRAM記憶單元、NAND型與NOR型快閃記憶體的差異、SLC/MLC/TLC等。
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SRAM與快閃記憶體的重點
SRAM是以兩個交叉耦合的反相器所構成的閂鎖器保持資料的記憶體，不需要更新，速度快。常用於CPU的快取記憶體等，但每位元所佔面積較大。
快閃記憶體是即使切斷電源，資料也不會消失的非揮發性記憶體。有適合大容量儲存的NAND型，以及隨機讀取速度快的NOR型，並且在一個記憶單元中儲存多個位元的多值化也持續進展。
SRAM與快閃記憶體的題目列表（50題）
- 下列關於一般 6 電晶體型 SRAM 單元的組成，何者正確？
- 與 NOR 型相比，NAND 型快閃記憶體的特徵，下列何者正確？
- 快閃記憶體中，一個記憶單元儲存 3 位元資訊的方式稱為什麼？
- 快閃記憶體寫入、抹除資料的原理，下列何者正確？
- 關於 3D NAND 型快閃記憶體的說明，下列何者正確？
- 快閃記憶體的可改寫次數有上限，主要原因為何？
- SSD 等所使用的損耗平均（Wear Leveling）的目的，下列何者正確？
- NAND 型快閃記憶體抹除資料的單位，下列何者正確？
- 關於 SRAM 的性質，下列何者正確？
- 3D NAND 中常用的電荷捕捉型單元，用來儲存電荷的層，其一般材料為何？
- 快閃記憶體的資料保存（retention）特性容易變差的條件為何？
- 近年先進製程中，與邏輯電路相比，SRAM 單元面積較難縮小，其最恰當的理由為何？
- NAND 快閃記憶體的控制器為了因應多值化所造成的讀取錯誤增加，使用的技術為何？
- NOR 型快閃記憶體的代表性用途為何？
- 關於 SSD 的垃圾回收（Garbage Collection），下列說明何者正確？
- SRAM 讀取時，預先將位元線充電至電源電壓等的動作稱為什麼？
- NAND 型快閃記憶體寫入（程式化）時，主要使用的電子注入方式為何？
- NAND 快閃記憶體中，反覆讀取同一區塊時，未被讀取的單元的臨界電壓會逐漸改變，這種現象稱為什麼？
- QLC（每個單元 4 位元）的 NAND 快閃記憶體中，一個單元必須區分的臨界電壓狀態有幾種？
- 在 TLC 或 QLC 的 SSD 中，把一部分區域當作 SLC 使用、暫時承接寫入的機制，其主要目的為何？
- 降低 SRAM 的電源電壓時容易發生的問題，下列何者正確？
- 在 6T SRAM 上追加讀取專用電晶體的 8T SRAM 單元，其優點下列何者正確？
- 快閃記憶體抹除時，從浮動閘極等處抽出電子後，單元的臨界電壓會如何變化？
- 近年 3D NAND 的堆疊層數，最接近下列何者？
- NAND 快閃記憶體中，設置在串聯記憶單元兩端的選擇電晶體，其作用下列何者正確？
- 對 SRAM 單元寫入時，要將其中一條位元線拉低到 0 V 以反轉單元狀態。此時，對存取電晶體的要求，下列何者正確？
- NAND 快閃記憶體中，反覆施加逐步提高電壓的寫入脈衝，並在每次確認臨界電壓的同時進行寫入，這種方式是下列何者？
- 作業系統把已刪除檔案的區域通知 SSD、使垃圾回收更有效率的指令，下列何者正確？
- 為了儲存微控制器的程式，而一直與邏輯電路混載在同一晶片上的非揮發性記憶體是下列何者？
- 將 SLC、MLC、TLC 依可改寫次數由多到少排列，下列何者正確？
- 關於快閃記憶體的性質，下列何者正確？
- USB 隨身碟與 SD 卡主要使用的記憶體是下列何者？
- SLC（Single-Level Cell）型快閃記憶體，每個單元儲存幾位元？
- 與 HDD（硬碟）相比，SSD 的特徵下列何者正確？
- SRAM 主要使用的用途，下列何者最恰當？
- 在 NAND 型快閃記憶體中，要對已寫入資料的頁寫入新資料，必須做什麼？
- EEPROM 與快閃記憶體的差異，下列何者正確？
- 關於表示 SRAM 單元穩定性的靜態雜訊邊限（SNM），下列說明何者正確？
- SLC 型 NAND 快閃記憶體的可改寫次數標準，最接近下列何者？
- 關於 NAND 快閃記憶體的「壞區塊管理」，下列說明何者正確？
- 關於 SSD 的「預留空間（Over-provisioning）」，下列說明何者正確？
- 關於 SSD 的「寫入放大（Write Amplification）」，下列說明何者正確？
- NAND 型快閃記憶體中，讀取與寫入（程式化）資料的基本單位為何？
- 廣泛用於高速 SSD 與主機連接、利用 PCI Express 的介面規格是下列何者？
- SRAM 在待機時降低電源電壓以減少漏電流，決定其下限的「資料保持電壓」，下列說明何者正確？
- 6T SRAM 單元為了讓單元內容在讀取時不被反轉（防止讀取破壞），所需的設計下列何者正確？
- 防止低電壓下 SRAM 寫入失敗的「寫入輔助」，下列何者為例？
- 多值（MLC 或 TLC）NAND 快閃記憶體中，使相鄰臨界電壓狀態所分配的位元排列只相差 1 位元，其理由下列何者正確？
- 3D NAND 中，為了將配線連接到堆疊的各層字元線，而將端部加工成階梯狀的結構稱為什麼？
- 3D NAND 中，將感測放大器等周邊電路配置在記憶單元陣列下方的結構（CMOS under Array 等），其主要優點為何？