NAND 快閃記憶體中，反覆施加逐步提高電壓的寫入脈衝，並在每次確認臨界電壓的同時進行寫入，這種方式是下列何者？

正確答案：B. ISPP（增量步進脈衝程式化）

ISPP 例如從 15 V 左右開始，每次提高數百 mV 並施加寫入脈衝，每次都確認（驗證）臨界電壓。達到目標的單元會提高位元線電位而停止寫入，因此即使單元有變異，也能把臨界電壓分布收窄、整齊。步進越小分布越窄，但耗時越久，所以是多值化與速度之間的取捨。