矽光子
以三選一題型學習矽波導、光調變器、微環共振器、鍺光偵測器等光學元件與通訊波段的基礎,以及運用波長分波多工(WDM)與共同封裝光學(CPO)的資料中心光互連、製造與量測的要點。
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矽光子的重點
矽光子是運用與CMOS相同的矽製造技術,將導光的波導、調變器、光偵測器等整合在1顆晶片上的技術。矽幾乎不吸收通訊所用的1.31~1.55 µm波段的光,且與周圍氧化層的折射率差很大,因此能將光緊密侷限在微小的電路中。
由於AI訓練等需求,資料中心的通訊量急遽增加,而電氣配線隨著高速化,損耗與功耗持續增加。光收發器,以及將光學元件安裝在交換器IC近旁的CPO等光互連,作為解決這些課題的核心技術而備受矚目。
矽光子的題目列表(50題)
- 在長距離光纖通訊中,波長1.55 µm附近(C頻段)被廣泛使用的主要理由為何?
- 在資料中心內距離較短的光連接中,常使用波長1.31 µm附近(O頻段)的理由,下列何者正確?
- 下列關於波長1.55 µm的光的光子能量,與其在矽波導中行為的組合,何者正確(E [eV] ≈ 1.24 / λ [µm])?
- 以氧化層(SiO2,折射率約1.45)包圍矽波導(折射率約3.5)的結構,其特徵下列何者正確?
- 光從折射率3.48的矽射向折射率1.45的氧化層時,發生全反射的臨界角(從界面法線量起的角度)最接近下列何者?
- 光在傳播損耗為2 dB/cm的矽波導中前進5 mm時,出口剩餘光功率的比例最接近下列何者?
- 輸出為+3 dBm的雷射光,經過合計10 dB的損耗(與光纖的耦合、波導、調變器等)後到達光偵測器。接收功率最接近下列何者?
- 矽光子所使用的SOI晶圓中,埋入氧化層(BOX層)的主要作用為何?
- 兩側保留薄矽板(平板,slab)、以淺蝕刻製作的脊形波導,常用於矽光調變器的主要理由為何?
- 連接光纖與矽光電路的光柵耦合器,其優點下列何者正確?
- 在晶片端面與光纖耦合的邊緣耦合器,相較於光柵耦合器的特徵,下列何者正確?
- 在邊緣耦合器中,使用朝晶片邊緣逐漸縮窄矽波導寬度的反向錐形結構,理由為何?
- 以矽光電路接收來自標準單模光纖的光時,偏振成為問題的理由,下列何者正確?
- 馬赫-曾德調變器將光的相位變化轉換為光強度變化的原理,下列何者正確?
- 在矽光調變器中,以電訊號改變折射率的方法採用載子色散效應(電漿色散效應)的理由為何?
- 在高速矽調變器中,常採用對相移器的pn接面施加逆偏壓、改變空乏區寬度的方式(空乏型),理由為何?
- 表示馬赫-曾德調變器性能的VπL,其說明下列何者正確?
- 矽微環共振器只對特定波長的光產生強烈反應的理由,下列何者正確?
- 在使用微環共振器的光電路中,常在環附近設置加熱器控制溫度的理由為何?
- 縮短微環共振器的周長時,下列變化何者正確?
- 矽光子中,有時會將氮化矽(SiN)波導與矽波導搭配使用。SiN波導的特徵下列何者正確?
- 在矽光電路中,鍺(Ge)被廣泛用於通訊波長光偵測器的理由,下列何者正確?
- 在矽上成長的鍺光偵測器中,暗電流容易變大的主要原因為何?
- 波長1.55 µm、量子效率80%的光電二極體,其響應度(每1 W光所流過的電流)最接近下列何者(R [A/W] ≈ 量子效率 × λ [µm] / 1.24)?
- 在光接收器中,緊接在光電二極體後方的轉阻放大器(TIA)的作用為何?
- 在將雷射整合到矽光電路的方法中,關於異質整合的說明,下列何者正確?
- 在矽光電路中,難以將光隔離器與雷射一起整合的理由,下列何者正確?
- 關於波長分波多工(WDM)的說明,下列何者正確?
- 資料中心用光收發器的CWDM(粗波長分波多工)中,例如以1271、1291、1311、1331 nm這樣20 nm的間隔排列波長。間隔取得較寬的主要理由為何?
- 在C頻段(波長1.55 µm附近)的波長分波多工中,頻率間隔100 GHz換算為波長間隔約為多少(Δλ ≈ λ² × Δf / c,c = 3×10⁸ m/s)?
- 光收發器中,在4條光纖各以1個波長傳送訊號的平行方式,與將4個波長匯集到1條光纖的CWDM方式,兩者的比較下列何者正確?
- 關於表示光發射訊號品質的消光比,下列說明何者正確?
- 在跨機架等數 m以上的高速連接中,光纖比銅纜線或基板配線有利的主要理由為何?
- 插入交換器前面板使用的可插拔光收發器,其優點下列何者正確?
- 將光收發元件與交換器IC安裝在同一封裝中的共同封裝光學(CPO,Co-Packaged Optics),其課題下列何者正確?
- CPO中常考慮將雷射光源置於交換器IC的封裝外、僅以光纖供應光的外部雷射光源。其主要理由為何?
- 光收發器的「線性驅動」(稱為線性可插拔光學、LPO等)的概念,下列何者正確?
- 省去DSP的線性驅動光收發器,其課題下列何者正確?
- 在資料中心內光連接廣泛使用的強度調變/直接偵測(IM-DD)方式中使用PAM4時,作為4個值而改變的是下列何者?
- 以PAM4每個波長傳送約106 Gb/s(含錯誤更正碼等)的訊號時,其符號率(每秒的符號數)最接近下列何者?
- 用於連接資料中心之間數十 km以上等連接的相干方式,相較於IM-DD方式的特徵,下列何者正確?
- 800 Gb/s光收發器的功耗為16 W時,每位元的能量為多少?
- 在總頻寬51.2 Tb/s的交換器中,若所有光連接皆以每位元5 pJ進行,光連接的功耗最接近下列何者?
- 結合波長850 nm附近的VCSEL與多模光纖的光連接,其特徵下列何者正確?
- 將單模光纖固定到矽光晶片時,常採用實際通入雷射光、一邊量測輸出一邊對準位置的主動對準,理由為何?
- 矽光子被認為適合在半導體工廠量產的主要理由為何?
- 被視為矽波導傳播損耗(dB/cm)主要原因之一的是下列何者?
- 量測矽波導傳播損耗的截斷法(cut-back法),其說明下列何者正確?
- 在將光學元件與交換器IC等組裝進1個封裝的CPO中,於組裝前以晶圓狀態檢測光學特性特別重要的理由為何?
- 分別製作光學元件的晶片(PIC)與驅動器、TIA等電子電路的晶片(EIC),再堆疊連接的架構被採用的理由,下列何者正確?