SRAM與快閃記憶體
NAND 快閃記憶體中,設置在串聯記憶單元兩端的選擇電晶體,其作用下列何者正確?
- A放大單元的訊號
- B將要讀寫的串(串聯單元的列)連接到位元線或源極線,或將其切斷
- C抹除資料
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正確答案:B. 將要讀寫的串(串聯單元的列)連接到位元線或源極線,或將其切斷
NAND 在串聯了數十~數百個單元的串兩端設有選擇電晶體,由位元線側(SSL/汲極側)與源極線側(GSL)只連接要存取的串。寫入時將未被選擇的串切斷、讓通道浮接,藉由與閘極的電容耦合自動抬高通道電位(自我升壓),以防止誤寫入。