什麼是6T SRAM 單元

由交叉耦合的兩個反相器(4 個電晶體)與 2 個存取用電晶體所構成的 SRAM 記憶單元。

日文名稱: 6T SRAMセル

「6T SRAM 單元」出現在1領域的2道練習題中（SRAM與快閃記憶體等）。

這個名詞所屬的領域: SRAM與快閃記憶體

練習6T SRAM 單元的題目

6T SRAM 單元為了讓單元內容在讀取時不被反轉（防止讀取破壞），所需的設計下列何者正確？

A使存取電晶體比下拉電晶體更強
B移除上拉電晶體
C使下拉（驅動）電晶體比存取電晶體更強

查看答案與解析

正確答案：C. 使下拉（驅動）電晶體比存取電晶體更強

讀取時，電流會從預充電的位元線透過存取電晶體流入保存 0 的節點，使電壓稍微上升。若下拉電晶體比存取電晶體足夠強（單元比 β = 下拉／存取為 1.5～2.5 左右），這個上升量就能被抑制在小於對側反相器的臨界值，資料不會反轉。使用 8T 單元或讀取輔助也能對策。

解析中的「6T SRAM 單元」

6T SRAM 單元由閂鎖電路（4 個電晶體，兩個反相器彼此的輸出接到對方的輸入）與 2 個控制位元線連接的存取電晶體所組成。
下列關於一般 6 電晶體型 SRAM 單元的組成，何者正確？

出現「6T SRAM 單元」的題目（2題）

出現這個名詞的比較

DRAM 與 SRAM 的差異：結構、速度、成本、用途比較從單元結構、更新、速度、積體度、成本、耗電量與用途等面向，以表格比較 DRAM 與 SRAM，並說明各自適用的時機。

相關名詞

位元線預充電更新(Refresh) 快取記憶體 3D NAND 垃圾回收非揮發性記憶體浮動閘極損耗平均電荷捕捉型單元

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