SRAM與快閃記憶體
關於 3D NAND 型快閃記憶體的說明，下列何者正確？
- A將大量記憶單元沿垂直方向堆疊以達成大容量化的記憶體
- B以三種電源電壓運作的記憶體
- C每個單元儲存 3 位元的記憶體
查看答案與解析
正確答案：A. 將大量記憶單元沿垂直方向堆疊以達成大容量化的記憶體
由於平面微縮在 15 nm 前後逼近極限，NAND 將單元往縱向堆疊的 3D NAND 自 2013 年前後開始量產，並成為主流。在交替堆疊導電層與絕緣層的厚膜上，一次打出深的圓柱狀孔洞（通道孔），再在孔壁上製作單元。不必勉強縮小單元即可增加容量，也能減少干擾。每個單元 3 位元指的是 TLC，常與 3D NAND 搭配使用。