SRAM與快閃記憶體
SRAM 在待機時降低電源電壓以減少漏電流，決定其下限的「資料保持電壓」，下列說明何者正確？
- A雖不進行讀寫，但單元仍能不失去記憶內容地保存的最低電源電壓
- B讀取所需的最大電壓
- C寫入所需的電壓
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正確答案：A. 雖不進行讀寫，但單元仍能不失去記憶內容地保存的最低電源電壓
SRAM 單元在不讀寫的待機狀態下，即使電壓低於一般操作電壓，也能保存資料。不會失去資料的最低電壓就是資料保持電壓（DRV），通常為數百 mV 左右。待機時降到略高於此電壓，漏電流會相對於電壓急遽減少，可使待機功耗降至數分之一。用於智慧型手機的 SoC 等，在睡眠期間保存快取內容。
- A. 正確。是能保存記憶的最低電源電壓。
- B. 資料保持電壓是關於最低電壓的指標。
- C. 寫入所需的電壓比保持更高。