SRAM與快閃記憶體
在 6T SRAM 上追加讀取專用電晶體的 8T SRAM 單元，其優點下列何者正確？
- A單元面積比 6T 小
- B斷電後資料仍會保留
- C讀取時單元資料不易被擾亂，即使在低電壓下也容易穩定運作
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正確答案：C. 讀取時單元資料不易被擾亂，即使在低電壓下也容易穩定運作
6T 單元在讀取時，位元線的電荷會把儲存節點往上推，資料有可能反轉。8T 單元以 2 個電晶體分出讀取專用路徑，儲存節點只連到其閘極，因此不會被讀取擾亂。由於可以將讀取與寫入電晶體分開最佳化，即使在低電壓下也穩定，還有讀取埠與寫入埠可同時使用的優點。代價是面積變大。