SRAM與快閃記憶體
下列關於一般 6 電晶體型 SRAM 單元的組成，何者正確？
- A兩個交叉連接的反相器，加上兩個存取電晶體
- B1 個電晶體加 1 個電容
- C6 個具有浮動閘極的電晶體串聯
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正確答案：A. 兩個交叉連接的反相器，加上兩個存取電晶體
6T SRAM 單元由閂鎖電路（4 個電晶體，兩個反相器彼此的輸出接到對方的輸入）與 2 個控制位元線連接的存取電晶體所組成。由於以正回授維持狀態，只要電源開啟就不需要更新。單元面積約為 120～150F²，大約是 DRAM 的 20 倍，但可用與邏輯電路相同的製程製作且速度快，因此是 CPU 快取記憶體的主力。