SRAM與快閃記憶體
快閃記憶體的可改寫次數有上限，主要原因為何？
- A反覆改寫會使電子通過的穿隧氧化膜劣化
- B電容的容量會增加
- C導線會變長
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正確答案：A. 反覆改寫會使電子通過的穿隧氧化膜劣化
快閃記憶體每次寫入、抹除時，電子都會在約 10 MV/cm 的高電場下通過穿隧氧化膜，其中一部分會被膜中捕捉或製造出缺陷。反覆進行後，臨界電壓的窗口會變窄，保存期間電子也更容易洩漏（SILC）。因此改寫次數有上限，狀態間隔窄的多值記憶單元受影響更大，SLC 約 10 萬次，而 TLC 約為數千次。