SRAM與快閃記憶體 3D NAND 中常用的電荷捕捉型單元，用來儲存電荷的層，其一般材料為何？ A銅 B氮化矽膜（SiN） C鋁 查看答案與解析 正確答案：B. 氮化矽膜（SiN） 電荷捕捉型單元不使用導電性的浮動閘極，而是把電子儲存在絕緣體氮化矽膜中的捕捉能階（trap）。由於電荷局限在膜中而不會移動，即使絕緣膜的一部分有缺陷，也不會讓全部電荷洩漏，與相鄰單元的干擾也較小。SiO2/SiN/SiO2 的堆疊（ONO）可連續沉積在孔壁上，是與縱向堆疊的 3D NAND 相容性良好的結構。