SRAM與快閃記憶體
對 SRAM 單元寫入時，要將其中一條位元線拉低到 0 V 以反轉單元狀態。此時，對存取電晶體的要求，下列何者正確？
- A驅動能力要比單元內的上拉電晶體（pMOS）足夠強
- B驅動能力要比單元內任何電晶體都弱
- C必須一直保持關閉
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正確答案：A. 驅動能力要比單元內的上拉電晶體（pMOS）足夠強
寫入時，必須透過存取電晶體把儲存節點拉到 0，克服想要維持 1 的上拉 pMOS，因此存取電晶體要設計得比 pMOS 足夠強（上拉比）。另一方面，為了讀取穩定性，又必須比下拉 nMOS 弱（單元比），這三者驅動能力的平衡是 SRAM 設計的核心。