SRAM・フラッシュメモリ

SRAM・フラッシュメモリの問題一覧（50問）

1. 一般的な6トランジスタ型SRAMセルの構成として正しいものはどれか。
2. NOR型と比べたときのNAND型フラッシュメモリの特徴として正しいものはどれか。
3. フラッシュメモリで、1つのメモリセルに3ビットの情報を記憶する方式を何と呼ぶか。
4. フラッシュメモリのデータの書き込み・消去の原理として正しいものはどれか。
5. 3D NAND型フラッシュメモリの説明として正しいものはどれか。
6. フラッシュメモリの書き換え可能回数に上限がある主な理由はどれか。
7. SSDなどで使われるウェアレベリングの目的として正しいものはどれか。
8. NAND型フラッシュメモリでデータを消去する単位として正しいものはどれか。
9. SRAMの性質として正しいものはどれか。
10. 3D NANDで多く使われている電荷トラップ型セルで、電荷を蓄える層の材料として一般的なものはどれか。
11. フラッシュメモリのデータ保持(リテンション)特性が悪くなりやすい条件はどれか。
12. 近年の先端プロセスで、ロジック回路に比べてSRAMセルの面積が縮小しにくくなっている理由として最も適切なものはどれか。
13. NANDフラッシュのコントローラで、多値化に伴う読み出し誤りの増加に対応するために使われる技術はどれか。
14. NOR型フラッシュメモリの代表的な用途はどれか。
15. SSDのガベージコレクションの説明として正しいものはどれか。
16. SRAMの読み出しで、ビット線をあらかじめ電源電圧などに充電しておく動作を何と呼ぶか。
17. NAND型フラッシュメモリの書き込み(プログラム)で主に使われる電子の注入方式はどれか。
18. NANDフラッシュで、同じブロックを何度も読み出すうちに、読み出していないセルのしきい値電圧が少しずつ変化してしまう現象を何と呼ぶか。
19. QLC(1セル4ビット)のNANDフラッシュで、1つのセルが区別しなければならないしきい値電圧の状態の数はいくつか。
20. TLCやQLCのSSDで、一部の領域をSLCとして使い、書き込みを一時的に受け止める仕組みの主な目的はどれか。
21. SRAMの電源電圧を下げていくと起こりやすい問題として正しいものはどれか。
22. 6T SRAMに読み出し専用のトランジスタを追加した8T SRAMセルの利点として正しいものはどれか。
23. フラッシュメモリの消去で、フローティングゲートなどから電子を引き抜くと、セルのしきい値電圧はどうなるか。
24. 近年の3D NANDの積層数として最も近いものはどれか。
25. NANDフラッシュで、直列につながったメモリセルの両端に設けられる選択トランジスタの役割として正しいものはどれか。
26. SRAMセルへの書き込みでは、ビット線の一方を0 Vに引き下げてセルの状態を反転させる。このとき、アクセストランジスタに求められる条件として正しいものはどれか。
27. NANDフラッシュで、少しずつ電圧を上げた書き込みパルスを繰り返し、そのたびにしきい値電圧を確認しながら書き込む方式はどれか。
28. OSが削除したファイルの領域をSSDに通知し、ガベージコレクションを効率化するためのコマンドはどれか。
29. マイコンのプログラムを格納するために、ロジック回路と同じチップに混載されてきた不揮発メモリはどれか。
30. SLC、MLC、TLCを、書き換え可能回数の多い順に並べたものはどれか。
31. フラッシュメモリの性質として正しいものはどれか。
32. USBメモリやSDカードに主に使われているメモリはどれか。
33. SLC(Single-Level Cell)型のフラッシュメモリは、1つのセルに何ビットを記憶するか。
34. HDD(ハードディスク)と比べたときのSSDの特徴として正しいものはどれか。
35. SRAMが主に使われる用途として最も適切なものはどれか。
36. NAND型フラッシュメモリで、すでにデータが書かれたページに新しいデータを書くときに必要なことはどれか。
37. EEPROMとフラッシュメモリの違いとして正しいものはどれか。
38. SRAMセルの安定性を表す静的雑音余裕(SNM)の説明として正しいものはどれか。
39. SLC型のNANDフラッシュメモリの書き換え可能回数の目安として最も近いものはどれか。
40. NANDフラッシュの「不良ブロック管理」の説明として正しいものはどれか。
41. SSDの「オーバープロビジョニング」の説明として正しいものはどれか。
42. SSDの「書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション)」の説明として正しいものはどれか。
43. NAND型フラッシュメモリで、データの読み出しと書き込み(プログラム)を行う基本的な単位はどれか。
44. 高速なSSDとホストの接続に広く使われている、PCI Expressを利用したインターフェース規格はどれか。
45. SRAMで、待機中に電源電圧を下げてリーク電流を減らすときの下限を決める「データ保持電圧」の説明として正しいものはどれか。
46. 6T SRAMセルで、読み出し時にセルの内容が反転しない(読み出し破壊を防ぐ)ために必要な設計として正しいものはどれか。
47. 低電圧でのSRAMの書き込み失敗を防ぐ「書き込みアシスト」の例として正しいものはどれか。
48. 多値(MLCやTLC)のNANDフラッシュで、隣り合うしきい値電圧の状態に割り当てるビットの並びを、1ビットだけ異なるようにする理由として正しいものはどれか。
49. 3D NANDで、積み重ねた各層のワード線に配線をつなぐために、端部を階段状に加工した構造を何と呼ぶか。
50. 3D NANDで、メモリセルアレイの下にセンスアンプなどの周辺回路を配置する構造(CMOS under Arrayなど)の主な利点はどれか。

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