新世代記憶體

以三選一題型學習MRAM、PCM（相變化記憶體）、ReRAM、FeRAM等新世代記憶體的儲存原理。

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新世代記憶體的重點

為了彌補DRAM與快閃記憶體的極限，目前正在開發各種基於新原理的記憶體。其中多數是不靠電荷，而是以電阻值的差異或極化方向來記錄資訊的非揮發性記憶體。

MRAM利用磁穿隧接面的磁化方向，PCM利用結晶態與非晶態的電阻差，ReRAM利用氧化物中的導電路徑，FeRAM則利用鐵電體的極化。請區分並記住各自的原理與特點。

新世代記憶體的題目列表（50題）

  1. 關於 MRAM 的記憶原理，下列何者正確？
  2. 關於相變記憶體（PCM）的記憶原理，下列何者正確？
  3. FeRAM（鐵電記憶體）利用何種性質來記憶資訊？
  4. 關於 ReRAM（電阻式記憶體）的記憶原理，下列何者正確？
  5. STT-MRAM 寫入資訊的方法，下列何者正確？
  6. 關於「儲存級記憶體」的定位，下列何者正確？
  7. 與快閃記憶體相比，MRAM 的一般優點，下列何者正確？
  8. 近年作為 FeRAM 與鐵電電晶體（FeFET）材料而受到矚目、與 CMOS 製程相容性佳的鐵電材料是下列何者？
  9. 相變記憶體（PCM）中，使單元成為高電阻非晶態（重置）的方法，下列何者正確？
  10. 使用電阻式記憶體等的記憶體內運算，主要期待的用途為何？
  11. 電容型 FeRAM 的讀取特徵，下列何者正確？
  12. MRAM 的磁性穿隧接面（MTJ）中，廣泛作為穿隧位障層、能得到大穿隧磁電阻比的材料是下列何者？
  13. ReRAM 中，最初施加較高電壓以形成導電細絲的初始化步驟稱為什麼？
  14. 關於 SOT-MRAM 的特徵，下列何者正確？
  15. MRAM 作為微控制器等的嵌入式非揮發性記憶體而受到矚目，其理由之一，下列何者正確？
  16. MRAM 的記憶元件（MTJ）縮得太小時，容易成為問題的是下列何者？
  17. 近年的 STT-MRAM 中，磁化方向垂直於膜面的 MTJ（垂直磁化 MTJ）成為主流，其理由下列何者正確？
  18. 在將電阻變化元件配置於縱橫導線交點的交叉點型記憶體中，為了防止電流繞進未被選擇的單元，與記憶元件串聯的元件是下列何者？
  19. 閘極絕緣膜使用鐵電體的 FeFET，其特徵下列何者正確？
  20. 相變記憶體（PCM）中，非晶態的電阻值隨時間逐漸增加的現象稱為什麼？
  21. MRAM 資料的讀取方法，下列何者正確？
  22. 作為相變記憶體記錄材料的代表 GST，是什麼樣的材料？
  23. 作為 ReRAM 電阻變化層而被研究、實用化的材料例子，下列何者正確？
  24. 將非揮發性記憶體用於快取或暫存器等處所期待的系統節能機制，下列何者正確？
  25. FeRAM 一直以來使用的代表性用途，下列何者正確？
  26. MRAM 的記憶元件（MTJ），一般是在邏輯 LSI 的哪個製程中製作？
  27. 微縮相變記憶體時會成為問題的，寫入時的熱傳到相鄰單元而改變其狀態的現象是下列何者？
  28. STT-MRAM 的寫入具有機率性質，由此造成的設計上課題，下列何者正確？
  29. ReRAM 單元的電阻值變異大所造成的課題，下列何者正確？
  30. 一般而言，可改寫次數最少的記憶體是下列何者？
  31. 下列記憶體中，斷電後資料仍會保留的非揮發性記憶體是哪一個？
  32. MRAM 的「M」代表什麼？
  33. 許多新世代記憶體的研究開發一直以「通用記憶體」為目標，關於其想法，下列何者正確？
  34. FeRAM 的「Fe」代表什麼？
  35. MRAM 中用來記憶 1 位元資訊的元件，以兩個磁性層夾住薄絕緣層的結構稱為什麼？
  36. 關於 MTJ 的穿隧磁電阻比（TMR 比），下列說明何者正確？
  37. MTJ 中，兩個磁性層的磁化方向平行時與反平行時的電阻關係，下列何者正確？
  38. 構成 MTJ 的兩個磁性層的作用，下列何者正確？
  39. 相變記憶體（PCM）中，使單元成為低電阻結晶狀態（設定）時的加熱方式，下列何者正確？
  40. 鐵電體的遲滯曲線（極化-電場特性）中，即使將電場回到零仍然殘留的極化稱為什麼？
  41. 使用 MRAM 時需要注意的外部環境，下列何者正確？
  42. MRAM 與 FeRAM 有時用於太空設備等輻射多的環境，其理由下列何者正確？
  43. 過去由 Intel 與 Micron 共同開發，並以「Optane」產品名稱販售的儲存級記憶體技術是下列何者？
  44. 相變記憶體（PCM）中，在一個單元記憶多個位元（多值化）的方法，下列何者正確？
  45. 銀或銅等金屬離子在固態電解質中移動，形成或切斷導電路徑而改變電阻的記憶體是下列何者？
  46. ReRAM 的操作方式中，「雙極型」與「單極型」的差異，下列何者正確？
  47. 交叉點型 PCM 等中，與記憶元件串聯作為選擇器使用、超過某一電壓就會突然導通的硫族化物材料元件是下列何者？
  48. STT-MRAM 中，必須限制讀取電流大小的理由，下列何者正確？
  49. 利用鐵電體極化的方向使通過薄鐵電層的穿隧電流大小改變的元件是下列何者？
  50. 為了降低 MRAM 寫入能量而正被研究的，以電壓改變磁性層磁異向性的效應是下列何者？

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