NAND 型與 NOR 型快閃記憶體的差異：速度、容量、用途比較
兩者都是斷電後資料仍會保留的快閃記憶體，但單元的連接方式不同。NOR 型將單元並聯，因此隨機讀取快，可以直接就地執行程式，但每位元的成本較高。NAND 型將單元串聯，可以在相同面積內塞入大量位元，價格便宜，但讀寫以頁為單位，也需要錯誤更正。因此，資料儲存使用 NAND 型，韌體儲存則使用 NOR 型。
| 項目 | NAND 型 | NOR 型 |
|---|---|---|
| 單元的連接 | 將單元串聯成字串，兩端有選擇電晶體 | 將單元並聯到位元線，因此可以直接存取每一個單元 |
| 讀取 | 以頁為單位（每次數 KB）讀取。第一次存取需要數十微秒，隨機讀取較慢 | 可以位元組或字為單位進行高速隨機存取（約數十奈秒） |
| 寫入（程式化） | 以頁為單位寫入。連續寫入的傳輸量高 | 以小單位寫入。大量資料時較慢 |
| 抹除單位 | 區塊（數 MB 以上） | 區段（一般為 64～128 KB） |
| 寫入機制 | 寫入與抹除都是富爾-諾德海姆（FN）穿隧現象 | 寫入為通道熱電子注入，抹除為穿隧現象 |
| 容量與成本 | 高密度且便宜。3D NAND 堆疊數百層，TLC、QLC 則在 1 個單元中記憶 3～4 位元 | 低密度（多半每顆晶片最多數 Gbit），每位元的成本高 |
| 就地執行（XIP） | 無法。必須先複製到 RAM | 可以。處理器可以直接從晶片執行程式 |
| 可靠度 | 以存在壞區塊與位元錯誤為前提，因此需要強力的 ECC、壞區塊管理與損耗平均 | 位元錯誤少，輕量的錯誤更正即可 |
| 抹寫壽命 | SLC 約 10 萬次，到 QLC 約在 1,000 次以下 | 一般約 10 萬次 |
| 主要用途 | SSD、USB 隨身碟、記憶卡、智慧型手機的儲存裝置（eMMC、UFS） | 開機程式碼與韌體。BIOS/UEFI、微控制器的程式碼、車用與工業設備 |
數值為具代表性的大致參考值，會因世代或產品而異。