SRAM與快閃記憶體
EEPROM 與快閃記憶體的差異,下列何者正確?
- AEEPROM 無法改寫
- BEEPROM 是揮發性的,快閃記憶體是非揮發性的
- CEEPROM 可以位元組為單位改寫,而快閃記憶體則以區塊等較大的單位一次抹除
查看答案與解析
正確答案:C. EEPROM 可以位元組為單位改寫,而快閃記憶體則以區塊等較大的單位一次抹除
EEPROM 是可以 1 位元組為單位抹除、改寫的非揮發性記憶體,每個單元都要附加選擇電晶體,因此單元較大,容量約為數 Kbit~數 Mbit。可改寫次數多達約 100 萬次,適合儲存裝置的設定值與校正資料。快閃記憶體則是以區塊為單位一次抹除,省去選擇電晶體,縮小單元而大容量化。
- A. EEPROM 是可以電氣方式改寫的 ROM。
- B. EEPROM 與快閃記憶體都是非揮發性的。
- C. 正確。差異在於改寫的單位。