關於表示 SRAM 單元穩定性的靜態雜訊邊限（SNM），下列說明何者正確？

正確答案：A. 單元在不反轉保存狀態下所能承受的雜訊電壓大小，由蝴蝶曲線求得

SNM 以單元的兩個反相器的輸入輸出特性重疊而成的蝴蝶曲線中，內側可容納的最大正方形的邊長來表示，數值越大，單元越耐雜訊。存取電晶體開啟的讀取時（讀取 SNM）比保存時（保持 SNM）小，這成為穩定性的限制。降低電源電壓或變異增加時，它會變小，因此被用作低電壓設計的指標。

• A. 正確。是由蝴蝶曲線求得的雜訊邊限。
• B. 消耗電流是與 SNM 不同的特性。
• C. 讀取時間是存取時間，不是 SNM。