SRAM與快閃記憶體

降低 SRAM 的電源電壓時容易發生的問題,下列何者正確?

  1. A讀寫穩定性的餘裕(雜訊邊限)變小,容易誤動作
  2. B存取變得太快
  3. C記憶容量增加
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正確答案:A. 讀寫穩定性的餘裕(雜訊邊限)變小,容易誤動作

SRAM 單元是靠閂鎖的穩定性,以及與存取電晶體之間驅動能力的平衡來運作。降低電源電壓後,雜訊邊限變小,電晶體變異的影響相對顯現,讀取時的資料反轉與寫入失敗更容易發生。因此 SRAM 的最低操作電壓(Vmin)往往決定整個晶片電源電壓的下限,成為低電壓化的障礙。

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