SRAM與快閃記憶體
關於 NAND 快閃記憶體的「壞區塊管理」，下列說明何者正確？
- A記錄製造時或使用中發現的壞區塊，並分配替代區塊以避免使用
- B只要有一個壞區塊的晶片就不出貨
- C以高電壓修復壞區塊
查看答案與解析
正確答案：A. 記錄製造時或使用中發現的壞區塊，並分配替代區塊以避免使用
NAND 出貨時就預設包含一定數量（整體的數 % 以下）的壞區塊，使用中也會因改寫劣化而產生壞區塊。控制器讀取初始不良的標記並記錄成表，使用中抹除或寫入失敗的區塊也會追加進去而不再使用，並以備用區塊取代。藉由這種管理，即使不是完美的晶片，整體也能正確運作。
- A. 正確。避開壞區塊，改用備用區塊取代。
- B. NAND 快閃記憶體出貨時就預設包含一定數量的壞區塊。
- C. 無法以電壓修復劣化的區塊。