什麼是浮動閘極
快閃記憶體單元中，周圍被絕緣膜包圍的電極。在此儲存電子後，電晶體的臨界電壓會改變，即使關閉電源資料也得以保持。
日文名稱: フローティングゲート
「浮動閘極」出現在3領域的7道練習題中（SRAM與快閃記憶體, 新世代記憶體, 氧化與擴散等）。
這個名詞所屬的領域: SRAM與快閃記憶體
練習浮動閘極的題目
快閃記憶體抹除時，從浮動閘極等處抽出電子後，單元的臨界電壓會如何變化？
- A變高
- B變低
- C不變
解析中的「浮動閘極」
當浮動閘極上有電子（負電荷）時，閘極電壓的一部分會被抵消，需要更大的電壓才能形成通道，因此臨界電壓變高。
快閃記憶體抹除時，從浮動閘極等處抽出電子後，單元的臨界電壓會如何變化？快閃記憶體的單元，是在閘極下方具有儲存電子的浮動閘極（或電荷捕捉層）的電晶體。
快閃記憶體寫入、抹除資料的原理，下列何者正確？電荷捕捉型單元不使用導電性的浮動閘極，而是把電子儲存在絕緣體氮化矽膜中的捕捉能階（trap）。
3D NAND 中常用的電荷捕捉型單元，用來儲存電荷的層，其一般材料為何？然而浮動閘極的形成等製程步驟多，在 28 nm 前後之後的世代，以及與 High-k／金屬閘極的混載都很困難，因此正逐漸被可用較少製程步驟製作的 MRAM 與 ReRAM 取代。
為了儲存微控制器的程式，而一直與邏輯電路混載在同一晶片上的非揮發性記憶體是下列何者？快閃記憶體是將電子封閉在被絕緣膜包圍的浮動閘極或電荷捕捉層中來記憶，因此是斷電後資料仍會保留的非揮發性記憶體。
關於快閃記憶體的性質，下列何者正確？
出現「浮動閘極」的題目（7題）
相關名詞
非揮發性記憶體 臨界電壓 微控制器 High-k／金屬閘極 MRAM 3D NAND 電荷捕捉型單元 更新(Refresh) ReRAM(電阻式記憶體) 光罩(Reticle)