SRAM與快閃記憶體 快閃記憶體抹除時，從浮動閘極等處抽出電子後，單元的臨界電壓會如何變化？ A變高 B變低 C不變 查看答案與解析 正確答案：B. 變低 當浮動閘極上有電子（負電荷）時，閘極電壓的一部分會被抵消，需要更大的電壓才能形成通道，因此臨界電壓變高。抹除時抽出電子，臨界電壓變低，寫入時注入電子，臨界電壓變高。NAND 一般將抹除狀態（低臨界電壓）當作「1」，寫入狀態當作「0」，這就是抹除後的快閃記憶體內容為 0xFF 的原因。