SLC、MLC、TLC、QLC 的差異：壽命、速度、成本比較

適用於什麼情況

SLC

重視壽命與可靠度勝過價格時。例如工業設備、日誌記錄、其他 SSD 的高速快取區域等。

TLC

是現在的主流。成本、速度與壽命取得良好平衡，廣泛用於個人電腦與智慧型手機。

QLC

重視每單位價格的容量，且以讀取為主時。例如大容量儲存、遊戲資料庫、封存等。

搭配使用

許多 TLC 與 QLC 的 SSD 會將部分空閒區域作為高速的 SLC 模式快取，以吸收集中的寫入。這個快取一旦寫滿，寫入速度就會下降。

理解度檢測

1. 在 TLC 或 QLC 的 SSD 中，把一部分區域當作 SLC 使用、暫時承接寫入的機制，其主要目的為何？
2. SLC 型 NAND 快閃記憶體的可改寫次數標準，最接近下列何者？
3. 多值（MLC 或 TLC）NAND 快閃記憶體中，使相鄰臨界電壓狀態所分配的位元排列只相差 1 位元，其理由下列何者正確？

前往SRAM與快閃記憶體的練習題

相關名詞的解說

SLC(單階儲存單元)

在快閃記憶體的 1 個單元中記憶 1 位元的方式。由於臨界電壓的狀態只有 2 種，比多值方式更快，可覆寫次數也更多。

TLC(三階儲存單元)

在快閃記憶體的 1 個單元中記憶 3 位元的方式。必須區分 8 種臨界電壓狀態，每容量成本降低，但可覆寫次數變少。1 個單元 4 位元的是 QLC。

NAND 型快閃記憶體

記憶單元以串聯方式連接的非揮發性記憶體。容易高密度、大容量化，用於 SSD 與記憶卡。

3D NAND

將 NAND 快閃記憶體的記憶單元在垂直方向堆疊許多層以達成大容量。為突破平面微縮的極限而導入，堆疊層數已達 200 層以上。

相關的比較

• NAND 型與 NOR 型快閃記憶體的差異：速度、容量、用途比較從單元的連接方式、讀取速度、抹除單位、容量、成本、可靠度與用途等面向，以表格比較 NAND 型與 NOR 型快閃記憶體。
• SSD 與 HDD 的差異：比較速度、耐用度與成本以資料記錄方式、速度、延遲、耐衝擊性、噪音、耗電量、每 TB 成本、容量、壽命與適合的用途等面向，用表格比較 SSD 與 HDD。
• DRAM 與 SRAM 的差異：結構、速度、成本、用途比較從單元結構、更新、速度、積體度、成本、耗電量與用途等面向，以表格比較 DRAM 與 SRAM，並說明各自適用的時機。
• FinFET 與 GAA 電晶體的差異：結構、控制性、製造比較從閘極結構、通道、靜電控制、寬度調整、製造與採用現況等面向，以表格比較 FinFET 與環繞式閘極（GAA）奈米片電晶體。
• SiC 與 GaN 功率半導體的差異：耐壓、頻率、用途比較從能隙、熱導率、元件種類、耐壓、切換頻率、晶圓、成本與用途等面向，以表格比較 SiC 與 GaN 功率半導體。
• CMOS 影像感測器與 CCD 的差異：讀出、速度、用途比較從讀出方式、耗電量、速度、雜訊、快門方式、積體度、成本與用途等面向，以表格比較 CMOS 影像感測器與 CCD。