快閃記憶體寫入、抹除資料的原理，下列何者正確？

正確答案：C. 讓電子進出浮動閘極或電荷捕捉層，以改變電晶體的臨界電壓

快閃記憶體的單元，是在閘極下方具有儲存電子的浮動閘極（或電荷捕捉層）的電晶體。以高電壓藉由穿隧電流等讓電子進出時，臨界電壓會改變，並以此差異區分 0 與 1。由於電子被厚度數 nm 的絕緣膜包圍，即使斷電也能保存約 10 年。讀取時，對閘極施加某一電壓，檢查是否有電流流過。