SRAM與快閃記憶體

NAND 快閃記憶體中，反覆讀取同一區塊時，未被讀取的單元的臨界電壓會逐漸改變，這種現象稱為什麼？

  1. A損耗平均
  2. B讀取干擾（Read Disturb）
  3. C垃圾回收
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正確答案：B. 讀取干擾（Read Disturb）

NAND 讀取時，會對未選擇的單元也施加數 V 的通過電壓使其導通，因此反覆讀取後會有少量電子被注入，臨界電壓逐漸上升。這就是讀取干擾，在數萬～數十萬次讀取時會成為問題。在集中了高讀取頻率資料的區塊中容易發生，控制器會計算讀取次數，接近上限時就把資料重新寫到別的區塊。

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