SRAM與快閃記憶體

QLC（每個單元 4 位元）的 NAND 快閃記憶體中，一個單元必須區分的臨界電壓狀態有幾種？

  1. A4
  2. B8
  3. C16
查看答案與解析

正確答案：C. 16

要在一個單元中儲存 N 位元，必須區分 2ᴺ 個臨界電壓狀態，QLC 為 2⁴ = 16 種狀態。可使用的臨界電壓範圍（數 V）幾乎相同，因此狀態間隔成為 SLC 的十幾分之一，寫入需要更精細的控制。所以 QLC 寫入較慢、耐久性也較低，但每容量單價便宜，用於以讀取為主的資料中心與大容量 SSD。

練習這個領域 前往領域頁面

SRAM與快閃記憶體的其他題目

  1. 在 TLC 或 QLC 的 SSD 中，把一部分區域當作 SLC 使用、暫時承接寫入的機制，其主要目的為何？
  2. 降低 SRAM 的電源電壓時容易發生的問題，下列何者正確？
  3. 在 6T SRAM 上追加讀取專用電晶體的 8T SRAM 單元，其優點下列何者正確？
  4. 快閃記憶體抹除時，從浮動閘極等處抽出電子後，單元的臨界電壓會如何變化？
  5. 近年 3D NAND 的堆疊層數，最接近下列何者？

這個領域的比較