化合物半導體
以三選一題型學習GaAs、GaN、InP等化合物半導體的特徵，以及直接能隙與間接能隙的差異。
—你的答對率
0 / 0已作答的題目
這個領域的題目準備中。
化合物半導體的重點
化合物半導體是像GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）這樣由多種元素構成的半導體。以III族與V族元素的組合（III-V族）最具代表性。
與矽相比，有電子遷移率較高者、屬於直接能隙而能高效發光者、能隙較大者等，被活用於高頻元件、LED與雷射，以及功率元件。
以三選一題型學習GaAs、GaN、InP等化合物半導體的特徵，以及直接能隙與間接能隙的差異。
這個領域的題目準備中。
化合物半導體是像GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）這樣由多種元素構成的半導體。以III族與V族元素的組合（III-V族）最具代表性。
與矽相比，有電子遷移率較高者、屬於直接能隙而能高效發光者、能隙較大者等，被活用於高頻元件、LED與雷射，以及功率元件。