SLC 型 NAND 快閃記憶體的可改寫次數標準，最接近下列何者？

正確答案：B. 約 10 萬次

SLC 的可改寫次數標準約為 5 萬～10 萬次，MLC 為數千～1 萬次，TLC 為數千次，QLC 約 1000 次，位元數越多次數越少。限制的主要原因，是每次改寫穿隧氧化膜都會一點一點劣化。SSD 的壽命以 TBW（總寫入量）或 DWPD（一天可寫滿整個容量幾次）表示，並藉由損耗平均與預留空間來延長。

• A. 約 100 次對 SLC 來說太少。
• B. 正確。SLC 的標準約為 10 萬次。
• C. 約 1 億次對快閃記憶體來說太多。