SRAM與快閃記憶體
多值（MLC 或 TLC）NAND 快閃記憶體中，使相鄰臨界電壓狀態所分配的位元排列只相差 1 位元，其理由下列何者正確？
- A為了不需要抹除
- B為了即使誤判為相鄰狀態，錯誤也只有 1 位元
- C為了使寫入速度變成 2 倍
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正確答案：B. 為了即使誤判為相鄰狀態，錯誤也只有 1 位元
在多值單元中，臨界電壓的分布會因劣化或干擾而變寬，與相鄰狀態重疊而發生誤讀。誤讀幾乎都是發生在相鄰狀態之間，因此若以相鄰狀態的位元串只相差 1 位元的格雷碼來分配，即使誤讀，錯誤也只有 1 位元，可將 ECC 的負擔降到最低。TLC 的 8 種狀態，例如可排成 111→110→100→101→001→000→010→011。
- A. 即使改變分配方式，仍然需要抹除。
- B. 正確。以格雷碼將錯誤抑制在 1 位元。
- C. 位元的分配並不會使寫入速度變成 2 倍。