SRAM與快閃記憶體
6T SRAM 單元為了讓單元內容在讀取時不被反轉（防止讀取破壞），所需的設計下列何者正確？
- A使存取電晶體比下拉電晶體更強
- B移除上拉電晶體
- C使下拉（驅動）電晶體比存取電晶體更強
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正確答案：C. 使下拉（驅動）電晶體比存取電晶體更強
讀取時，電流會從預充電的位元線透過存取電晶體流入保存 0 的節點，使電壓稍微上升。若下拉電晶體比存取電晶體足夠強（單元比 β = 下拉／存取 為 1.5～2.5 左右），這個上升量就能被抑制在小於對側反相器的臨界值，資料不會反轉。使用 8T 單元或讀取輔助也能對策。
- A. 存取電晶體太強的話，讀取時單元容易反轉。
- B. 沒有上拉電晶體的話，單元無法保存 1。
- C. 正確。使下拉比存取更強，以抑制 0 節點的浮升。