SRAM與快閃記憶體

將 SLC、MLC、TLC 依可改寫次數由多到少排列，下列何者正確？

  1. ATLC > MLC > SLC
  2. BSLC > MLC > TLC
  3. CMLC > SLC > TLC
查看答案與解析

正確答案：B. SLC > MLC > TLC

每個單元的位元數越少，臨界電壓狀態的間隔越寬，即使氧化膜劣化使分布變寬，仍能正確讀取，因此可改寫次數越多。一般為 SLC > MLC > TLC > QLC，大致標準為 SLC 約 10 萬次、MLC 數千～1 萬次、TLC 數千次、QLC 約 1000 次。需要高耐久性的工業用途，以及 SSD 的快取區域會使用 SLC 模式。

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